MACOM spouští projekt vývoje technologie GaN-on-SiC

Společnost MACOM nedávno oznámila, že povede projekt vývoje nitridu galia na technologii karbidu křemíku (GaN-on-SiC) pro radiofrekvenční (RF) a mikrovlnné aplikace. Hlavním cílem projektu je vyvinout procesy výroby polovodičů pro materiály na bázi nitridu galia a MMIC, které umožní efektivní provoz při vysokých napětích a frekvencích milimetrových vln (mmW).