A MACOM elindítja a GaN-on-SiC technológiai fejlesztési projektet

A MACOM nemrégiben bejelentette, hogy egy projektet fog vezetni, amelynek célja gallium-nitrid szilícium-karbid (GaN-on-SiC) technológia fejlesztése rádiófrekvenciás (RF) és mikrohullámú alkalmazásokhoz. A projekt fő célja félvezető gyártási eljárások kifejlesztése gallium-nitrid alapú anyagokhoz és MMIC-ekhez, amelyek lehetővé teszik a hatékony működést nagy feszültségen és milliméter hullám (mmW) frekvencián.