MACOM pradeda GaN-on-SiC technologijos plėtros projektą

MACOM neseniai paskelbė, kad ji vadovaus projektui sukurti galio nitrido ant silicio karbido (GaN-on-SiC) technologiją radijo dažnio (RF) ir mikrobangų taikymams. Pagrindinis projekto tikslas – sukurti puslaidininkių gamybos procesus galio nitrido pagrindu pagamintoms medžiagoms ir MMIC, kad būtų galima efektyviai veikti esant aukštai įtampai ir milimetrinių bangų (mmW) dažniams.