MACOM pokreće projekt razvoja tehnologije GaN-on-SiC

MACOM je nedavno najavio da će voditi projekt razvoja tehnologije galij nitrida na silicij karbidu (GaN-on-SiC) za radiofrekvencijske (RF) i mikrovalne primjene. Glavni cilj projekta je razviti procese proizvodnje poluvodiča za materijale na bazi galijevog nitrida i MMIC-ove kako bi se omogućio učinkovit rad pri visokim naponima i frekvencijama milimetarskih valova (mmW).