MACOM technologiam movet GaN-on-SiC progressionem project

Nuper MACOM denuntiavit illud consilium deducturum esse ut gallium nitridum in carbide silicon (GaN-on-SiC) technologiae radiophonicae frequentiae (RF) et proin applicationes explicet. Praecipuum propositum consilii est processus semiconductoris fabricandi processuum gallium nitride fundatum et MMICs explicandi ut operationem efficientem ad altas voltages et fluctus millimetris (mmW) frequentias efficiat.