Sinarum IGBT chip application agros et fabrica layout

111
IGBT (Insulatae portae Bipolar Transistor), ut nucleus fabrica potentiae et conversionis in Sinis late adhibetur. Hoc genus machinae semiconductoris in applicationibus frequentiis superiorum potentiarum in altioribus frequentiis dominatur, propter altam inputationem impeditivam, humilem in statu intentionis guttam, celeritatem mutandi notas altas, et detrimenta civitatis humilis. Artifices Sinarum IGBT maxime in foro medio et ignobili voltage- rati sunt pro novis vehiculis energiae, subsidia domus, machinis weldingis et aliis agris. Tempora Electric et Semiconductor stellata etiam consilia pro summo intentione 3300V et supra habent, et eorum producta maxime apta sunt ad celeritatem rail, potentia euismod tradendi, etc.