Босцх проширује капацитет производње енергетских полупроводника од силицијум карбида

Босцх планира да инвестира 3 милијарде евра у своје пословање са полупроводницима у наредних пет година, од чега ће део бити искоришћен за успостављање два нова центра за истраживање и развој чипова у Ројтлингену и Дрездену у Немачкој. Поред тога, Босцх ће својој фабрици вафла у Дрездену додати радионицу без прашине од 3.000 квадратних метара.