Sanan ຮ່ວມ​ມື​ກັບ STMicroelectronics ເພື່ອ​ປົກ​ປັກ​ຮັກ​ສາ​ໂຄງ​ການ silicon carbide 8 ນິ້ວ​ຂອງ Chongqing ຢ່າງ​ເຕັມ​ສ່ວນ

ໂຄງການ epitaxy ແລະຊິບ silicon carbide 8 ນິ້ວທີ່ລົງທຶນແລະກໍ່ສ້າງໂດຍ Sanan ແລະ STMicroelectronics ໃນ Chongqing ໄດ້ຖືກກວມເອົາຢ່າງເຕັມສ່ວນ. ທັງໝົດຈະຖືກນໍາເຂົ້າເຂົ້າໃນອຸປະກອນການຜະລິດ ແລະ ເຕັກໂນໂລຊີ 8 ນິ້ວຊັ້ນນໍາຂອງໂລກ ແລະ ມີແຜນການທີ່ຈະນໍາໄປຜະລິດໃນໄຕມາດ 3 ຂອງປີນີ້. ຫຼັງ​ຈາກ​ບັນ​ລຸ​ຄວາມ​ສາ​ມາດ​, ມັນ​ຈະ​ບັນ​ລຸ​ຜົນ​ຜະ​ລິດ​ປະ​ຈໍາ​ປີ​ຂອງ 480,000 ຕ່ອນ​. ນອກຈາກນັ້ນ, Sanan ຍັງໄດ້ລົງທຶນ 7 ຕື້ເພື່ອສ້າງສາຍການຜະລິດ substrate silicon carbide ສອງສາຍເພື່ອໃຫ້ກົງກັບການສະຫນອງໃຫ້ແກ່ Anyfa Semiconductor.