Tianyue Advanced បានបង្កើតរបកគំហើញដ៏សំខាន់មួយនៅក្នុងវិស័យវិធីសាស្រ្តដំណាក់កាលរាវ

Tianyue Advanced បានបង្កើតរបកគំហើញដ៏សំខាន់មួយនៅក្នុងផ្នែកនៃវិធីសាស្ត្រដំណាក់កាលរាវ ដែលបានទាក់ទាញការចាប់អារម្មណ៍ជាច្រើន ហើយបានបើកដំណើរការស្រទាប់ខាងក្រោម 4-degree off-angle silicon carbide substrate ដែលរៀបចំដោយវិធីសាស្ត្រដំណាក់កាលរាវក្នុងឆ្នាំ 2024។ ប្រភេទថ្មីនៃស្រទាប់ខាងក្រោមស៊ីលីកុនកាបែតប្រភេទ P នេះមានភាពធន់ទ្រាំដ៏ល្អឥតខ្ចោះតិចជាង 200mΩ·cm ការចែកចាយភាពធន់ក្នុងយន្តហោះឯកសណ្ឋាន និងគ្រីស្តាល់ល្អ។