Tianyue Advanced ojapo peteî avance tuicháva ámbito método fase líquida-pe

379
Tianyue Advanced ojapo peteî avance tuicháva ámbito método fase líquida ogueraháva heta atención, ha omoherakuã sustrato carburo de silicio tipo P 4 grados fuera de ángulo ombosako'íva método fase líquida ary 2024-pe. Ko tipo pyahu sustrato carburo de silicio tipo P oguereko resistividad iporãitereíva mbovyvéva 200mΩ·cm-gui, distribución resistividad en plano uniforme, ha cristalinidad iporãva.