Keyou Semiconductor-მა წარმატებით მოამზადა ულტრა დიდი ზომის სილიციუმის კარბიდის ერთკრისტალი

29 მაისს, Keyou Semiconductor-მა გამოაცხადა, რომ მან წარმატებით შეიმუშავა მრავალი გამტარი 6 დიუმიანი სილიციუმის კარბიდის ერთკრისტალები, რომელთა ცენტრის სისქე აღემატება 80 მმ-ს და ყველაზე თხელი წერტილით 60 მმ-ზე მეტი. ეს არის პირველი შემთხვევა ჩინეთში, როდესაც ნაჩვენებია სილიციუმის კარბიდის ნედლეული ბლანკები 60 მმ-ზე მეტი სისქით. ამბობენ, რომ ამ მეთოდს შეუძლია ხარჯების 70%-ით შემცირება.