Společnost Jian Semiconductor podepsala dohodu o strategické spolupráci s čínskou univerzitou elektronických věd a technologií Xi'an

Qingdao Jiaen Semiconductor Co., Ltd. a Xi'an University of Electronic Science and Technology podepsaly dohodu o strategické spolupráci na společném výzkumu a provádění strukturálního návrhu a simulace charakteristických vlastností energetických zařízení s nitridem galia (GAN) s cílem zlepšit výkon a rozsah aplikací energetická zařízení z nitridu galia.