Mitsubishi Electric đẩy nhanh xây dựng nhà máy SiC 8 inch, dự kiến ​​đưa vào sản xuất cuối năm 2025

Mitsubishi Electric đã công bố tiến độ mới nhất của nhà máy SiC 8 inch tại sự kiện IR Day 2024. Nhà máy đặt tại tỉnh Kumamoto, Nhật Bản, dự kiến ​​hoàn thành vào tháng 9 năm 2025 và bắt đầu sản xuất vào tháng 11 cùng năm. Nhà máy có tổng diện tích xây dựng khoảng 42.000 mét vuông và chịu trách nhiệm chính về quy trình mặt trước của tấm wafer SiC 8 inch. Mitsubishi Electric đặt mục tiêu tăng tỷ trọng doanh số bán SiC trong lĩnh vực bán dẫn điện lên hơn 30% vào năm tài chính 2030. Ngoài ra, công ty cũng có kế hoạch giới thiệu hệ thống vận chuyển tự động trong toàn bộ khâu quy trình để nâng cao hiệu quả sản xuất, với mục tiêu tăng năng lực sản xuất SiC lên gấp 5 lần vào năm tài chính 2026.