Mitsubishi Electric mempercepat pembangunan pabrik SiC berukuran 8 inci, yang diharapkan mulai berproduksi pada akhir tahun 2025

Mitsubishi Electric mengumumkan kemajuan terbaru pabrik SiC 8 inci miliknya pada acara IR Day 2024. Pabrik yang berlokasi di Prefektur Kumamoto, Jepang ini dijadwalkan selesai pada September 2025 dan mulai berproduksi pada November tahun yang sama. Pabrik ini memiliki total luas konstruksi sekitar 42.000 meter persegi dan terutama bertanggung jawab atas proses front-end wafer SiC 8 inci. Mitsubishi Electric bertujuan untuk meningkatkan proporsi penjualan SiC dalam bisnis semikonduktor listriknya menjadi lebih dari 30% pada tahun fiskal 2030. Selain itu, perusahaan juga berencana memperkenalkan sistem konveyor otomatis di seluruh bagian proses untuk meningkatkan efisiensi produksi, dengan tujuan meningkatkan kapasitas produksi SiC sebanyak lima kali lipat pada tahun fiskal 2026.