杭州鎵仁半導體在氧化鎵基板技術上取得重大突破

2024年12月，杭州镓仁半导体有限公司在超宽禁带半导体材料领域取得了重大突破。公司与下游客户合作，对镓仁半导体(010)面氧化镓半绝缘衬底进行了深入的器件验证工作。成功制备了性能卓越的增强型晶体管，其击穿电压高达2429V，相比进口衬底的器件验证结果，性能指标实现了显著提升。