Hangzhou Gallium Semiconductor hat einen großen Durchbruch in der Galliumoxid-Substrattechnologie erzielt

Im Dezember 2024 gelang Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. ein großer Durchbruch auf dem Gebiet der Halbleitermaterialien mit extrem großer Bandlücke. Das Unternehmen arbeitete mit nachgelagerten Kunden zusammen, um eingehende Geräteverifizierungsarbeiten auf dem halbisolierenden Galliumoxid-Oberflächensubstrat des Galliumhalbleiters (010) durchzuführen. Es wurde erfolgreich ein Anreicherungstransistor mit hervorragender Leistung hergestellt, der eine Durchbruchspannung von bis zu 2429 V aufweist. Im Vergleich zu den Bauteilverifizierungsergebnissen importierter Substrate wurden die Leistungsindikatoren deutlich verbessert.