Компания Hangzhou Gallium Semiconductor совершила крупный прорыв в технологии подложек из оксида галлия.

В декабре 2024 года компания Hangzhou Gallium Semiconductor Co., Ltd. совершила крупный прорыв в области полупроводниковых материалов со сверхширокозонной зоной. Компания сотрудничала с последующими заказчиками для проведения углубленных работ по проверке устройства на полуизолирующей подложке из оксида галлия на поверхности полупроводника галлия (010). Успешно изготовлен транзистор улучшенного режима с отличными характеристиками, с напряжением пробоя до 2429В. По сравнению с результатами проверки устройства импортных подложек показатели работоспособности значительно улучшены.