Toshiba-ийн цахилгаан хагас дамжуулагчийн үйлдвэрлэлийн хүчин чадал 2.5 дахин нэмэгдэнэ

Toshiba 2024 оны санхүүгийн жилийн хоёрдугаар хагаст эрчим хүчний хагас дамжуулагчийг бөөнөөр үйлдвэрлэж эхлэхээр төлөвлөж байна. Түүний гол бүтээгдэхүүнд MOSFET болон IGBT багтдаг. Төслийн эхний үе шат бүрэн ашиглалтад орсноор үйлдвэрлэлийн хүчин чадал нь 2021 оны төсвийн хөрөнгө оруулалтын төлөвлөгөөг боловсруулж байсан үеийнхээс 2.5 дахин нэмэгдэнэ.