Toshiba's Power Semiconductor Produktiounskapazitéit wäert ëm 2,5 Mol eropgoen

Toshiba plangt d'Massproduktioun vu Kraaft Halbleiteren an der zweeter Halschent vum Fiskaljoer unzefänken 2024. Seng Haaptprodukter enthalen MOSFETs an IGBTs. Wann déi éischt Phas vum Projet voll operationell ass, wäert seng Produktiounskapazitéit 2,5 Mol déi sinn wéi wann den Investitiounsplang am Fiskal 2021 formuléiert gouf.