Toshiba jaudas pusvadītāju ražošanas jauda palielināsies 2,5 reizes

Toshiba plāno sākt jaudas pusvadītāju masveida ražošanu 2024. gada fiskālā gada otrajā pusē. Tās galvenie produkti ietver MOSFET un IGBT. Kad projekta pirmā fāze tiks pilnībā nodota ekspluatācijā, tā ražošanas jauda būs 2,5 reizes lielāka nekā tad, kad tika izstrādāts investīciju plāns 2021. gada fiskālā.