Потужності Toshiba з виробництва силових напівпровідників збільшаться в 2,5 рази

Toshiba планує почати масове виробництво силових напівпровідників у другій половині 2024 фінансового року. Її основна продукція включає MOSFET і IGBT. Після того, як перша фаза проекту буде повністю запущена, її виробнича потужність буде в 2,5 рази більша, ніж на момент розробки інвестиційного плану в 2021 фінансовому році.