Toshiba ၏ ပါဝါ semiconductor ထုတ်လုပ်မှု စွမ်းရည်သည် ၂.၅ ဆ တိုးလာမည်ဖြစ်သည်။

Toshiba သည် 2024 ဘဏ္ဍာနှစ် ဒုတိယနှစ်ဝက်တွင် ပါဝါတစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးကိရိယာများ အမြောက်အမြားထုတ်လုပ်ရန် စီစဉ်နေသည်။ ၎င်း၏အဓိကထုတ်ကုန်များတွင် MOSFETs နှင့် IGBTs များပါဝင်သည်။ ပရောဂျက်၏ပထမအဆင့်ကို အပြည့်အဝလည်ပတ်ပြီးသည်နှင့် ၎င်း၏ထုတ်လုပ်မှုစွမ်းရည်သည် 2021 ဘဏ္ဍာရေးနှစ်တွင် ရင်းနှီးမြှုပ်နှံမှုအစီအစဥ်ကို ရေးဆွဲခဲ့သည့်ထက် 2.5 ဆ ဖြစ်လာမည်ဖြစ်သည်။