जी स्क्वायर SiC उपकरण बड़े पैमाने पर उत्पादन में प्रवेश करते हैं

जी स्क्वायर सेमीकंडक्टर ने घोषणा की कि उसके सिलिकॉन कार्बाइड एमओएस और एसबीडी उत्पादों की एक किस्म को हनलेई टेक्नोलॉजी की उत्पादन लाइनों में सफलतापूर्वक बड़े पैमाने पर उत्पादित किया गया है। उनमें से, एक 1200V 8 milliohm SiC MOS उत्पाद को सफलतापूर्वक टैप किया गया है और उच्च उपज प्राप्त की गई है। यह उत्पाद मुख्य रूप से नई ऊर्जा वाहनों की मुख्य ड्राइव प्रणाली में उपयोग किया जाता है।