Кампус карбида кремния STMicroelectronics в Катании наладит массовое производство пластин SiC диаметром 200 мм

Кампус карбидокремниевого карбида STMicroelectronics в Катании (Италия) наладит массовое производство пластин SiC диаметром 200 мм. В кампусе будут интегрированы все этапы производственного процесса, включая разработку подложек, процессы эпитаксиального выращивания, изготовление пластин и сборку модулей.