STMicroelectronics پردیس سیلیکون کاربید کاتانیا برای دستیابی به تولید انبوه ویفرهای SiC 200 میلی متری
تکنولوژی سیاه آینده
ییلی الکترونیک
ژجیانگ میلی
فناوری فورد
200 میلی متر
چه
و
چه
STMicroelectronics
متر
ایتالیا
فرآیند
ساخت
مونتاژ
بست
ویفر
کر
تولید انبوه
فرآیند
پارچه
بستر
پایه
پایه
بستر
مونتاژ
SiC
توسعه
افت
2024-12-30 09:40
60
پردیس کاربید سیلیکون STMicroelectronics در کاتانیا، ایتالیا، به تولید انبوه ویفرهای SiC 200 میلی متری دست خواهد یافت. پردیس تمام مراحل فرآیند تولید، از جمله توسعه بستر، فرآیندهای رشد همپایه، ساخت ویفر و مونتاژ پشتی ماژول را یکپارچه خواهد کرد.
