Li Auto łączy siły z Hunan Sanan Semiconductor, aby uruchomić bazę badawczo-rozwojową i produkcyjną w zakresie półprzewodników trzeciej generacji

24 sierpnia firma Li Auto nawiązała współpracę z Hunan Sanan Semiconductor (Sko Semiconductor) w celu rozpoczęcia budowy bazy badawczo-rozwojowej i produkcyjnej w zakresie półprzewodników trzeciej generacji w strefie zaawansowanych technologii Suzhou w prowincji Jiangsu. Projekt ten koncentruje się głównie na badaniach i rozwoju oraz produkcji półprzewodnikowych modułów mocy z węglika krzemu trzeciej generacji do zastosowań motoryzacyjnych, a jego celem jest osiągnięcie niezależnego projektowania i produkcji modułów mocy przeznaczonych do zastosowań motoryzacyjnych. Oczekuje się, że w 2022 r. zakończy budowę podstawy i wejdzie w etap instalacji sprzętu i debugowania. Próbna produkcja próbna rozpocznie się w pierwszej połowie 2023 r. Po formalnej produkcji w 2024 r. oczekuje się, że roczna zdolność produkcyjna osiągnie 2,4 mln połowy węglika krzemu -moduły zasilania mostka.