Li Auto ombojoaju Hunan Sanan Semiconductor ndive omoherakuã haguã I+D semiconductor tercera generación ha base de producción

Ára 24 de agosto, Li Auto oipytyvõ Hunan Sanan Semiconductor (Sko Semiconductor) omoñepyrüvo construcción I+D semiconductor tercera generación ha base de producción Zona Alta tecnología Suzhou, Provincia Jiangsu. Ko proyecto oñecentra principalmente I+D ha producción umi módulo de potencia grado automotriz carburo de silicio semiconductor tercera generación, orekóva meta ohupytývo diseño independiente ha fabricación módulo de potencia específico automotriz. Oñeha'ãrõ omohu'ã construcción base ha oike etapa de instalación ha depuración de equipos ary 2022. Oñepyrüta producción de prueba de muestra primer semestre 2023. Oñemotenondévo producción formal ary 2024, capacidad de producción anual oñeha'ãrõ oguahë 2,4 millones de mitad carburo de silicio -puente umi módulo mbarete rehegua.