STMicroelectronics planeja construir nova base de fabricação de carboneto de silício de 8 polegadas na Itália

A STMicroelectronics anunciou que construirá um novo dispositivo de energia de carboneto de silício (SiC) de 8 polegadas e uma base de fabricação de módulos em Catania, Itália, em 6 de junho de 2024. O local incluirá instalações de fabricação, embalagem e testes e, juntamente com as instalações existentes de fabricação de substrato de SiC, formará um campus completo de carboneto de silício. O projeto deverá iniciar operações em 2026 e atingir plena capacidade de produção em 2033, quando a produção de wafers atingirá 15.000 wafers por semana. O investimento em todo o projeto deverá ser de 5 mil milhões de euros, dos quais o governo italiano fornecerá cerca de 2 mil milhões de euros em apoio financeiro.