STMicroelectronics planlægger at bygge ny 8-tommer siliciumcarbid produktionsbase i Italien

STMicroelectronics annoncerede, at det vil bygge en ny 8-tommer siliciumcarbid (SiC) kraftenhed og modulproduktionsbase i Catania, Italien den 6. juni 2024. Pladsen vil omfatte fremstillings-, emballerings- og testfaciliteter og vil sammen med eksisterende SiC-substratfremstillingsfaciliteter udgøre en komplet campus af siliciumcarbid. Projektet forventes at starte i drift i 2026 og nå fuld produktionskapacitet i 2033, hvor waferproduktionen vil nå op på 15.000 wafers om ugen. Investeringen i hele projektet forventes at være på 5 milliarder euro, hvoraf den italienske regering vil give cirka 2 milliarder euro i økonomisk støtte.