STMicroelectronics plangt nei 8-Zoll Siliziumkarbid Fabrikatiounsbasis an Italien ze bauen

STMicroelectronics huet ugekënnegt datt et den 6. Juni 2024 en neien 8-Zoll Siliziumkarbid (SiC) Kraaftapparat a Modul Fabrikatiounsbasis zu Catania, Italien wäert bauen. De Site wäert Fabrikatioun, Verpakung an Test Ariichtungen enthalen an, zesumme mat existéierende SiC Substrat Fabrikatioun Ariichtungen, wäert e komplette Silicon Carbide Campus bilden. De Projet gëtt erwaart fir Operatiounen am Joer 2026 unzefänken a voll Produktiounskapazitéit bis 2033 z'erreechen, wann d'Waferproduktioun 15,000 Wafer pro Woch erreechen. D'Investitioun an de ganze Projet gëtt erwaart op 5 Milliarden Euro ze sinn, vun deenen déi italienesch Regierung ongeféier 2 Milliarden Euro finanziell Ënnerstëtzung gëtt.