„STMicroelectronics“ planuoja Italijoje statyti naują 8 colių silicio karbido gamybos bazę

„STMicroelectronics“ paskelbė, kad 2024 m. birželio 6 d. Katanijoje, Italijoje, pastatys naują 8 colių silicio karbido (SiC) maitinimo įrenginį ir modulių gamybos bazę. Svetainėje bus gamybos, pakavimo ir bandymo įrenginiai, o kartu su esamomis SiC substrato gamybos įrenginiais sudarys visą silicio karbido miestelį. Tikimasi, kad projektas pradės veikti 2026 m., o visus gamybos pajėgumus pasieks 2033 m., kai plokštelių gamyba pasieks 15 000 plokštelių per savaitę. Numatomos investicijos į visą projektą sieks 5 milijardus eurų, iš kurių Italijos vyriausybė skirs maždaug 2 milijardus eurų finansinės paramos.