STMicroelectronics có kế hoạch xây dựng cơ sở sản xuất cacbua silic 8 inch mới ở Ý

STMicroelectronics thông báo rằng họ sẽ xây dựng một cơ sở sản xuất mô-đun và thiết bị điện cacbua silicon (SiC) 8 inch mới tại Catania, Ý vào ngày 6 tháng 6 năm 2024. Địa điểm này sẽ bao gồm các cơ sở sản xuất, đóng gói và thử nghiệm, cùng với các cơ sở sản xuất chất nền SiC hiện có, sẽ tạo thành một khuôn viên cacbua silic hoàn chỉnh. Dự án dự kiến ​​sẽ bắt đầu hoạt động vào năm 2026 và đạt công suất sản xuất tối đa vào năm 2033, khi sản lượng wafer sẽ đạt 15.000 wafer mỗi tuần. Khoản đầu tư cho toàn bộ dự án dự kiến ​​là 5 tỷ euro, trong đó chính phủ Ý sẽ hỗ trợ tài chính khoảng 2 tỷ euro.