STMicroelectronics გეგმავს ახალი 8 დიუმიანი სილიკონის კარბიდის წარმოების ბაზის აშენებას იტალიაში

STMicroelectronics-მა გამოაცხადა, რომ 2024 წლის 6 ივნისს ააშენებს ახალ 8 დიუმიან სილიკონის კარბიდის (SiC) სიმძლავრის მოწყობილობას და მოდულის საწარმოო ბაზას კატანიაში, იტალიაში. საიტი მოიცავს წარმოების, შეფუთვისა და ტესტირების ობიექტებს და, არსებულ SiC სუბსტრატის წარმოების ობიექტებთან ერთად, შექმნის სილიციუმის კარბიდის სრულ კამპუსს. პროექტი სავარაუდოდ 2026 წელს დაიწყება და 2033 წლისთვის მიაღწევს სრულ წარმოების სიმძლავრეს, როდესაც ვაფლის წარმოება კვირაში 15000 ვაფლს მიაღწევს. მთლიან პროექტში ინვესტიცია სავარაუდოდ 5 მილიარდ ევროს შეადგენს, საიდანაც იტალიის მთავრობა დაახლოებით 2 მილიარდ ევროს ფინანსურ დახმარებას გაუწევს.