Silan Jihong Semiconductor uzbūvēs 8 collu SiC barošanas ierīču mikroshēmu ražošanas līniju

SIA Silan Jihong Semiconductor Co., Ltd. būs atbildīgs par 8 collu SiC barošanas ierīču mikroshēmu ražošanas līnijas izveidi ar SiC-MOSFET kā galveno produktu ar ražošanas jaudu 60 000 gabalu mēnesī. Kopējās investīcijas projekta pirmajā posmā ir 7 miljardi juaņu, no kurām kapitāls ir 4,21 miljards juaņu, kas veido aptuveni 60% banku aizdevumi ir 2,79 miljardi juaņu, kas veido aptuveni 40%. Otrais investīciju posms ir 5 miljardi juaņu, kas tiks īstenots, pamatojoties uz pirmo posmu. Pēc pabeigšanas tas palielinās ražošanas jaudu par 25 000 8 collu SiC mikroshēmām mēnesī.