长飞先进产能概况
1200V
650V
6英寸
MOSFET
OS
SBD
SiC MOS
SiC MOSFET
SiC SBD
外延
万片
英寸
晶圆
模块
工艺
功率
设计
年产
SiC
知识产权
2024-05-13 16:30
67
长飞先进目前可年产6万片6英寸SiC MOSFET或SBD外延及晶圆、640万只功率模块、1800万只功率单管。公司提供650V到3300V SiC SBD、SiC MOSFET相关产品,具有完全自主知识产权的1200V Gen3 SiC MOSFET设计及工艺平台。
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