碳化硅单晶生长技术的发展

碳化硅单晶生长技术主要包括物理气相传输（PVT）法、高温化学气相沉积（HTCVD）法和液相法。PVT法是目前主流的制备方法，但生长速度较慢。HTCVD法具有较快的生长速度，显示出巨大潜力。液相法曾在20世纪60年代广受欢迎，但随着PVT法的技术突破，逐渐被边缘化。然而，由于PVT法在制造大尺寸SiC晶体和降低成本方面遇到挑战，液相法重新引起了业界的关注。