1）看到企業有佈局dram、nand等記憶體晶片封測，這兩種產品所需的封測製程和設備的差異在哪裡？其他專注於某一種產品的封測企業甚至是IC設計企業進入障礙高嗎？ 2）記憶體封測和邏輯晶片封測所需的製程和設備又有什麼差異嗎？

長電科技：尊敬的投資者，您好。兩者在低階市場領域無明顯差異，均可採用傳統打線設備實現堆疊與打線互聯。在中高階領域兩者設備製程有差異，需要使用到熱壓鍵結等特色設備。同時記憶體及邏輯晶片封測所需的設備，因為堆疊層數及測試需求不同，有一定的差異。對於新進入者，在中高階儲存封測市場有明顯的障礙。感謝您的關注與支持。