ບໍລິສັດ Shuoke Crystal ປະສົບຜົນສໍາເລັດໃນການພັດທະນາ 12 ນິ້ວທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ 12-inch ເຄິ່ງ insulating silicon carbide substrate crystal ດຽວ.

ໃນມື້ສຸດທ້າຍຂອງປີ 2024, ບັນຊີຢ່າງເປັນທາງການຂອງສະມາຄົມອຸດສາຫະກໍາວັດສະດຸເອເລັກໂຕຣນິກຈີນໄດ້ປະກາດວ່າບໍລິສັດ Shanxi Shuoke Crystal Co., Ltd., ບໍລິສັດຍ່ອຍຂອງບໍລິສັດ China Electronics Semiconductor Materials Co., Ltd., ໄດ້ປະສົບຜົນສໍາເລັດໃນການພັດທະນາ 12 ນິ້ວ (300 ມມ) ຄວາມບໍລິສຸດສູງ semi-insulating silicon carbide substrate crystal ດຽວ.