კომპანია Shuoke Crystal-მა წარმატებით შეიმუშავა 12 დიუმიანი მაღალი სისუფთავის ნახევრად საიზოლაციო სილიციუმის კარბიდის ერთკრისტალური სუბსტრატი

2024 წლის ბოლო დღეს, ჩინეთის ელექტრონული მასალების ინდუსტრიის ასოციაციის ოფიციალურმა ანგარიშმა გამოაცხადა, რომ Shanxi Shuoke Crystal Co., Ltd., China Electronics Semiconductor Materials Co., Ltd.-ის შვილობილი კომპანია, წარმატებით შეიმუშავა 12 დიუმიანი (300 მმ) მაღალი სისუფთავის ნახევრად საიზოლაციო სილიციუმის კარბიდის ერთკრისტალური სუბსტრატი, ამავე დროს, მან ასევე წარმატებით შეიმუშავა 12 დიუმიანი (300 მმ) ტიპის სილიციუმის კარბიდის ერთკრისტალური სუბსტრატი.