Ruichuang Micronano hat bemerkenswerte Ergebnisse bei der Erforschung von Mikrowellen-Leistungsverstärkern erzielt und Innovationen in der Automobilindustrie gefördert.

Ruisi Microsystems, eine Holding-Tochtergesellschaft von Ruichuang Microna, hat erhebliche Fortschritte bei der Forschung von Hochleistungs-S-Band-Mikrowellen-Leistungsverstärkern auf GaN-Basis erzielt. Sie konnten den Leistungsverschlechterungsmechanismus von AlGaN/GaN-HEMT-Geräten in Hochtemperatur- und Hochleistungsanwendungen erfolgreich aufdecken. Durch die Optimierung der Gerätestruktur wurde die Verstärkung des Leistungsverstärkers um 1 dB und der Wirkungsgrad um 2,6 % erhöht. Dieser Durchbruch beweist nicht nur die starken Forschungs- und Entwicklungskapazitäten von Ruisi Microsystems im Bereich Mikrowellenhalbleiter, sondern legt auch eine solide Grundlage für die anschließende Produktentwicklung und Massenproduktion.