Ruichuang Micronano har opnået bemærkelsesværdige resultater inden for forskning i mikrobølgeeffektforstærkere og fremmet innovation i bilrelaterede industrier.

Ruisi Microsystems, et holding-datterselskab af Ruichuang Microna, har gjort betydelige fremskridt i forskningen af ​​GaN-baserede højeffekt S-bånd mikrobølgeeffektforstærkere. De afslørede med succes præstationsforringelsesmekanismen for AlGaN/GaN HEMT-enheder i højtemperatur- og højeffektapplikationer, og ved at optimere enhedsstrukturen blev effektforstærkerens forstærkning øget med 1 dB og effektiviteten øget med 2,6 %. Dette gennembrud beviser ikke kun Ruisi Microsystems' stærke R&D-evner inden for mikrobølgehalvledere, men lægger også et solidt fundament for efterfølgende produktudvikling og masseproduktion.