Ruichuang Micronano har uppnått anmärkningsvärda resultat i forskningen om mikrovågseffektförstärkare och främjat innovation inom bilrelaterade industrier.

Ruisi Microsystems, ett dotterbolag till Ruichuang Microna, har gjort betydande framsteg i forskningen om GaN-baserade högeffekts S-bands mikrovågseffektförstärkare. De avslöjade framgångsrikt prestandaförsämringsmekanismen för AlGaN/GaN HEMT-enheter i applikationer med hög temperatur och hög effekt, och genom att optimera enhetsstrukturen ökades förstärkarens förstärkning med 1 dB och effektiviteten ökade med 2,6 %. Detta genombrott bevisar inte bara Ruisi Microsystems starka FoU-kapacitet inom området mikrovågshalvledare, utan lägger också en solid grund för efterföljande produktutveckling och massproduktion.