Ruichuang Micronano ha logrado resultados notables en la investigación de amplificadores de potencia de microondas y ha promovido la innovación en las industrias relacionadas con el automóvil.

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Ruisi Microsystems, una filial holding de Ruichuang Micronano, ha logrado avances significativos en la investigación de amplificadores de potencia de microondas de banda S de alta potencia basados en GaN. Revelaron con éxito el mecanismo de degradación del rendimiento de los dispositivos HEMT de AlGaN/GaN en aplicaciones de alta temperatura y alta potencia y, al optimizar la estructura del dispositivo, la ganancia del amplificador de potencia aumentó en 1 dB y la eficiencia aumentó en un 2,6 %. Este avance no sólo demuestra las sólidas capacidades de I+D de Ruisi Microsystems en el campo de los semiconductores de microondas, sino que también sienta una base sólida para el posterior desarrollo de productos y la producción en masa.