Ruichuang Micronano, mikrodalga güç amplifikatörleri araştırmalarında dikkate değer sonuçlar elde etti ve otomobille ilgili endüstrilerde yenilikçiliği teşvik etti.

Ruichuang Micronano'nun bir holding yan kuruluşu olan Ruisi Microsystems, GaN tabanlı yüksek güçlü S-bant mikrodalga güç amplifikatörlerinin araştırmalarında önemli ilerleme kaydetti. AlGaN/GaN HEMT cihazlarının yüksek sıcaklık ve yüksek güç uygulamalarında performans bozulma mekanizmasını başarılı bir şekilde ortaya çıkarmışlar ve cihaz yapısını optimize ederek güç amplifikatörünün kazancını 1dB, verimliliğini ise %2,6 arttırmışlardır. Bu atılım, yalnızca Ruisi Microsystems'in mikrodalga yarı iletkenler alanındaki güçlü Ar-Ge yeteneklerini kanıtlamakla kalmıyor, aynı zamanda sonraki ürün geliştirme ve seri üretim için de sağlam bir temel oluşturuyor.