Ruichuang Micronano mikroto'lqinli quvvat kuchaytirgichlarini tadqiq qilishda ajoyib natijalarga erishdi va avtomobilsozlik sanoatida innovatsiyalarni ilgari surdi.

Ruichuang Microna xolding kompaniyasi bo'lgan Ruisi Microsystems GaN-ga asoslangan yuqori quvvatli S-bandli mikroto'lqinli quvvat kuchaytirgichlarini tadqiq qilishda sezilarli yutuqlarga erishdi. Ular yuqori haroratli va yuqori quvvatli ilovalarda AlGaN/GaN HEMT qurilmalarining ishlashini pasaytirish mexanizmini muvaffaqiyatli ochib berdilar va qurilma strukturasini optimallashtirish orqali quvvat kuchaytirgichining kuchayishi 1dB ga oshirildi va samaradorlik 2,6% ga oshdi. Ushbu yutuq nafaqat Ruisi Microsystems kompaniyasining mikroto'lqinli yarim o'tkazgichlar sohasida kuchli ilmiy-tadqiqot imkoniyatlarini isbotlaydi, balki mahsulotni keyingi ishlab chiqish va ommaviy ishlab chiqarish uchun mustahkam poydevor yaratadi.