A Ruichuang Micronano figyelemre méltó eredményeket ért el a mikrohullámú teljesítményerősítők kutatásában, és előmozdította az innovációt az autóiparban.

A Ruisi Microsystems, a Ruichuang Microna holding leányvállalata jelentős előrehaladást ért el a GaN-alapú nagy teljesítményű S-sávos mikrohullámú teljesítményerősítők kutatásában. Sikeresen tárták fel az AlGaN/GaN HEMT készülékek teljesítménycsökkenési mechanizmusát magas hőmérsékletű és nagy teljesítményű alkalmazásokban, és az eszközszerkezet optimalizálásával a teljesítményerősítő erősítését 1 dB-lel, a hatásfokát pedig 2,6%-kal növelték. Ez az áttörés nemcsak a Ruisi Microsystems erős K+F képességeit bizonyítja a mikrohullámú félvezetők területén, hanem szilárd alapot teremt a későbbi termékfejlesztéshez és tömeggyártáshoz is.