रुइचुआंग माइक्रोनैनो ने माइक्रोवेव पावर एम्पलीफायरों के अनुसंधान में उल्लेखनीय परिणाम हासिल किए हैं और ऑटोमोबाइल से संबंधित उद्योगों में नवाचार को बढ़ावा दिया है।

रुइचुआंग माइक्रोनैनो की होल्डिंग सहायक कंपनी रुइसी माइक्रोसिस्टम्स ने GaN-आधारित उच्च-शक्ति एस-बैंड माइक्रोवेव पावर एम्पलीफायरों के अनुसंधान में महत्वपूर्ण प्रगति की है। उन्होंने उच्च तापमान और उच्च-शक्ति अनुप्रयोगों में AlGaN/GaN HEMT उपकरणों के प्रदर्शन में गिरावट तंत्र का सफलतापूर्वक खुलासा किया, और डिवाइस संरचना को अनुकूलित करके, पावर एम्पलीफायर का लाभ 1dB और दक्षता में 2.6% की वृद्धि हुई। यह सफलता न केवल माइक्रोवेव सेमीकंडक्टर्स के क्षेत्र में रुइसी माइक्रोसिस्टम्स की मजबूत अनुसंधान एवं विकास क्षमताओं को साबित करती है, बल्कि बाद के उत्पाद विकास और बड़े पैमाने पर उत्पादन के लिए एक ठोस आधार भी तैयार करती है।