Ruichuang Micronano telah mencapai hasil luar biasa dalam penelitian penguat daya gelombang mikro dan mendorong inovasi dalam industri terkait otomotif.

Ruisi Microsystems, anak perusahaan induk Ruichuang Micronano, telah membuat kemajuan signifikan dalam penelitian penguat daya gelombang mikro S-band berdaya tinggi berbasis GaN. Mereka berhasil mengungkap mekanisme penurunan kinerja perangkat AlGaN/GaN HEMT dalam aplikasi suhu tinggi dan daya tinggi, dan dengan mengoptimalkan struktur perangkat, penguatan penguat daya ditingkatkan sebesar 1dB dan efisiensi meningkat sebesar 2,6%. Terobosan ini tidak hanya membuktikan kemampuan penelitian dan pengembangan Ruisi Microsystems yang kuat di bidang semikonduktor gelombang mikro, namun juga meletakkan dasar yang kuat untuk pengembangan produk selanjutnya dan produksi massal.