Ruichuang Micronano telah mencapai hasil yang luar biasa dalam penyelidikan penguat kuasa gelombang mikro dan menggalakkan inovasi dalam industri berkaitan automobil.

Ruisi Microsystems, anak syarikat induk Ruichuang Microna, telah mencapai kemajuan yang ketara dalam penyelidikan penguat kuasa gelombang mikro jalur S berkuasa tinggi berasaskan GaN. Mereka berjaya mendedahkan mekanisme penurunan prestasi peranti AlGaN/GaN HEMT dalam aplikasi suhu tinggi dan berkuasa tinggi, dan dengan mengoptimumkan struktur peranti, keuntungan penguat kuasa meningkat sebanyak 1dB dan kecekapan meningkat sebanyak 2.6%. Kejayaan ini bukan sahaja membuktikan keupayaan R&D Ruisi Microsystems yang kukuh dalam bidang semikonduktor gelombang mikro, tetapi juga meletakkan asas yang kukuh untuk pembangunan produk seterusnya dan pengeluaran besar-besaran.