Ruichuang Micronano-მ მიაღწია საოცარ შედეგებს მიკროტალღური ენერგიის გამაძლიერებლების კვლევაში და ხელი შეუწყო ინოვაციას საავტომობილო დაკავშირებულ ინდუსტრიებში.

Ruisi Microsystems-მა, Ruichuang Microna-ს ჰოლდინგის შვილობილი კომპანიამ, მიაღწია მნიშვნელოვან პროგრესს GaN-ზე დაფუძნებული მაღალი სიმძლავრის S-band მიკროტალღური დენის გამაძლიერებლების კვლევაში. მათ წარმატებით გამოავლინეს AlGaN/GaN HEMT მოწყობილობების მუშაობის დეგრადაციის მექანიზმი მაღალტემპერატურულ და მაღალი სიმძლავრის აპლიკაციებში და მოწყობილობის სტრუქტურის ოპტიმიზაციის შედეგად, სიმძლავრის გამაძლიერებლის მომატება გაიზარდა 1დბ-ით და ეფექტურობა გაიზარდა 2.6%-ით. ეს გარღვევა არა მხოლოდ ადასტურებს Ruisi Microsystems-ის ძლიერ R&D შესაძლებლობებს მიკროტალღური ნახევარგამტარების სფეროში, არამედ მყარ საფუძველს უქმნის შემდგომ პროდუქციის განვითარებასა და მასობრივ წარმოებას.